中国のPRINANOは2026年6月5日、ナノインプリントリソグラフィー（NIL）技術を用いて8インチの光チップウエハーの製造に成功したと発表しました。このプロセスでは、ASML製のDUV露光装置を一切使用せず、製造コストを従来の約10分の1に抑えることができたとされています。光通信やLiDAR向けの光チップをウエーハレベルで製造可能になったことで、中国半導体業界にとっては輸出規制下での新たな突破口となる可能性があります。

半導体製造の主流は依然としてDUVやEUV露光装置によるもので、ASMLがその技術をほぼ独占しています。オランダ政府が米国の要請を受けてASML製装置の中国向け輸出を制限しているため、中国企業は代替技術の開発が急務でした。PRINANOが開発した「PL-AS vacuum air-cushion nanoimprint lithography」は10nm以下の分解能を実現しており、微細構造の形成が可能だと主張しています。

一方で、量産性や歩留まり、スループットのデータはまだ公開されておらず、商業的な実用化までの道のりは不透明です。市場調査会社SemiAnalysisのアナリストは、NIL技術がASMLの立場を脅かす可能性は低く、真のコスト優位性はプロセス統合やテンプレートの耐久性にかかっていると指摘しています。現時点では、最先端の論理半導体製造においてNILがEUVに取って代わる見込みは低いとされています。