随着AI服务器GPU单芯片功耗逼近1000W，高带宽内存（HBM）的堆叠层数正快速提升，HBM5已计划实现20层堆叠。然而，堆叠层数越高，芯片内部热量积聚越严重，可能导致降频、算力下降和系统不稳定。为此，SK海力士、三星和美光纷纷推出创新散热方案，争夺技术制高点。

SK海力士推出iHBM技术，将冷却元件内嵌至HBM内部，开辟直通散热通道，可降低30%以上热阻，并计划用于HBM5及后续产品。三星则在Computex 2026展示HBM5原型，采用HPB散热方案，在多层DRAM裸片间埋入导热块，形成“散热烟囱”，已在HBM4E验证成功，预计2028年量产。美光则结合低功耗设计与硅通孔沟槽冷却技术，通过在芯片内部蚀刻微型沟槽并循环冷却液，降低热积累。

这些技术突破不仅关乎HBM性能，也将推动高导热材料与先进封装制程的需求增长，重塑半导体供应链格局。未来，低功耗与热管理将成为HBM研发的核心方向。