中國科學院金屬研究所聯合團隊成功研製新型高頻硅-石墨烯-鍺勢壘晶體管（Si-Graphene-Ge Barristor），在高頻電子器件領域取得重大突破。該研究於2026年6月發表於《自然·通訊》，提出一種創新型垂直二維基區結構，解決了傳統高頻晶體管在太赫茲頻段應用中的性能瓶頸。隨著5G普及與6G技術發展，物聯網與智能通訊系統對晶體管運行速度的要求日益提高，需突破1太赫茲（THz）的關鍵門檻。傳統器件如HEMT與HBT受限於載子渡越時間，難以達成此目標。近年來，以石墨烯為基區的垂直二維晶體管雖具潛力，但量子隧穿與界面缺陷問題嚴重影響電流增益與高頻表現。