台积电正在推进一项关键的先进封装技术——玻璃核心基板，这被视为下一代AI芯片制造的必要条件。该技术在2026年6月的日本JPCA Show上首次披露，采用三层结构设计，将玻璃核心夹在两层ABF积层之间。通过使用玻璃基板，穿玻璃通孔（TGV）的垂直导通路径得以缩短，从而降低导通电阻与回路电感，显著改善电源完整性，为高性能AI芯片提供更稳定的供电系统。

郭明錤分析指出，在CoPoS（Chip-on-Substrate-on-Silicon）封装体系中，玻璃基板的oS部分是决定芯片能否成功制造的核心技术，而非可选优化项。目前测试基板尺寸为250 x 250毫米，ABF积层采用味之素GL107混合材料，层数达24至28层。核心技术壁垒在于穿玻璃通孔，由台积电与群创光电共同掌握。

尽管玻璃基板成本高于传统ABF基板，但其占AI芯片整体物料清单的比例仅为低个位数百分比，却能大幅减少因封装不良导致的良率损失，经济效益显著。英伟达及另外两家美国芯片巨头对此技术表现出浓厚兴趣，因其能直接转化为AI算力提升。

台积电目标在2028年第四季度至2029年第一季度启动量产，以配合英伟达等客户下一代AI芯片的迭代节奏。目前产业链正加速推进技术验证与准备。